半導體效率再躍進：博世推出第三代碳化矽（SiC）晶片 記者：Alegna 2026-04-23

碳化矽（silicon carbide, SiC）晶片是提升電動車效率並延長續航里程的關鍵。博世現已更進一步推動其發展：正式推出第三代 SiC 晶片，並已開始向全球汽車製造商提供樣品。以此，未來將可望有越來越多電動車採用博世先進第三代 SiC 晶片。博世集團董事會成員暨交通移動事業群主席 Markus Heyn 表示：「碳化矽半導體是推動電動交通的關鍵助力，能控制能源流動並大幅提升其效率。透過新一代 SiC 晶片，我們正持續強化在該領域的科技領導地位，同時協助客戶打造效能更強、效率更高的電動車。我們的目標非常明確：成為全球領導 SiC 晶片製造商。」

挹注數十億歐元於全球製造網路

為此，博世正積極布局這個高速成長的市場。據市場研究與顧問公司 Yole Intelligence 分析*，全球 SiC 功率半導體市場規模預計將由 2023 年的 23 億美元，成長至 2029 年約 92 億美元，主要成長動能來自電動車市場。

相較於傳統矽晶片，碳化矽半導體的切換速度更快、能源效率更高，可有效降低能耗，進而提升電子系統的功率密度。博世新一代的半導體同時具備科技優勢以及經濟效益。Heyn 表示：「我們新一代的 SiC 晶片效能提升 20%，且尺寸明顯較前一代更小。微型化設計正是提升成本效率的關鍵，因為每片晶圓可以產出更多晶片。博世將扮演推動高效能電子系統普及化的關鍵角色。」自 2021 年第一代 SiC 晶片開始量產以來，博世已於全球供應超過 6,000 萬顆 SiC 晶片。

近年來，博世致力於 SiC 晶片的研發，同時提升製造產能與無塵室規模。作為歐洲共同利益重要計劃（Important Project of Common European Interest, IPCEI）中的微電子和通訊科技專案一環，博世已在半導體領域投資約 30 億歐元。博世在位於德國羅伊特林根（Reutlingen）的晶圓廠開發、生產第三代 SiC 晶片，並採用八吋晶圓製程。2025 年初，博世於美國加州羅斯維爾（Roseville）收購第二座 SiC 晶片製造廠，目前正導入先進、複雜度高的生產設備。博世將針對該美國晶圓廠額外投入 19 億歐元，預計於今年生產第一批 SiC 晶片，作為樣品提供客戶進行測試。Heyn 表示：「未來，博世將自位於德國及美國的晶圓廠供應創新 SiC 晶片。」這將為快速推動電氣化的汽車產業，強化並打造更具韌性的供應鏈。中期而言，博世計畫將其 SiC 功率半導體產能提升至數億顆等級。

獨特「博世製程」為成功關鍵

博世運用其獨特製造長才，縮小晶片體積同時仍提升其效能。公司將調整自 1994 年起即存在並廣為業界所知的「博世製程（Bosch process）」，並應用該蝕刻製程。該製程最初用於感測器製造，可在 SiC 材料中形成高精度垂直結構，大幅提升晶片的功率密度，即為造就第三代 SiC 晶片卓越效能的關鍵要素。

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